中央大、ＳＳＤの処理速度を６倍に高速化する技術開発−読み出しレベル調整
掲載日 2015年02月26日
中央大学理工学部の竹内健教授の研究グループは、フラッシュメモリーを記憶媒体とするソリッド・ステート・ドライブ（ＳＳＤ）について、
従来比６倍高速化する技術を開発した。米サンフランシスコで開催中の「国際固体素子回路会議（ＩＳＳＣＣ）」で発表した。
フラッシュメモリーはＨＤＤや光ディスク、磁気テープなどの記憶媒体に比べ、高速、低電力などの利点を持つが、メモリーセルに蓄えた
電子がリークすることで記憶したデータが失われ、エラーが発生する問題がある。
ＳＳＤにはメモリーのエラーをシステム的に直す誤り訂正技術が使われているが、信頼性を高めるために強力な誤り訂正技術を使うと、
これに要する時間が長くなり、読み出し性能が劣化する課題がある。
竹内教授らは今回、周辺のメモリーセルからの干渉を補正する技術のほか、メモリーセルの劣化に合わせて読み出しのレベルを調整する
技術などを開発した。ＳＳＤの高速化と５倍の高信頼化に成功し、フラッシュメモリーにエラーが生じても高速かつ高信頼にエラーを訂正で
きるようにした。
http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150226eaai.html