韓国サムスン、性能2倍・消費電力85%削減した半導体を発表、「スマホのバッテリーが1週間持つ」と豪語 [422186189]

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新たに開発されたVTFETは、トランジスタをウェハーの上に層状に重ねることによって、電流をウェハーに対して垂直側に流すという設計。発表によると、この設計によってトランジスタのゲート長やスペーサーの厚さ、接点サイズなどの物理的制約を緩和できるとのこと。

「縦に重ねる」という設計思想の半導体設計は新しいものではありませんが、これまではトランジスタではなくチップコンポーネントを縦に重ねるという方式が主流でした。